Резисторы,Конденсаторы и прочее

YDF40-01 50 Ом, 0,5Вт ( 40мм, H=6,5мм, закр.магнит)

Головка динамическая, 50 Ом, 0,5Вт, 40мм, H=6,5мм, закр.магнит,96дБ

С2-33М 20 кОм 5% 0,125 Вт

Резистор постоянный, непроволочный тонкопленочный

СП3-19а-0.5Вт 1 кОм 20%

Резистор подстроечный однооборотный, в цилиндрическом корпусе

СП3-19а-0.5Вт 1 мОм 5%

Резистор подстроечный однооборотный, в цилиндрическом корпусе

СП3-19а-0.5Вт 100 Ом 5%

Резистор подстроечный однооборотный, в цилиндрическом корпусе

СП3-19а-0.5Вт 150 Ом 20%

Резистор подстроечный однооборотный, в цилиндрическом корпусе

СП3-19а-0.5Вт 220 кОм 5%

Резистор подстроечный однооборотный, в цилиндрическом корпусе

СП3-19а-0.5Вт 3,3 кОм 5%

Резистор подстроечный однооборотный, в цилиндрическом корпусе

СП3-19а-0.5Вт 470 Ом 20%

Резистор подстроечный однооборотный, в цилиндрическом корпусе

СП3-19а-0.5Вт 680 кОм 20%

Резистор подстроечный однооборотный, в цилиндрическом корпусе

СП5-3В-1Вт 10 кОм 5%

резистор подстроечный многооборотный

СП5-3В-1Вт 3,3 кОм 5%

резистор подстроечный многооборотный

нГн 5% (B82496C3151J) Epcos

Индуктивность 0603 150нГн 5% (B82496C3151J)

мкГн 30% (LQM21FN470N00L) Murata

Индуктивность 0805 47 мкГн 30% (LQM21FN470N00L) Murata

мкГн 5% (B82422T1102J1210)

Индуктивность смд. 1210 1 мкГн 5% (B82422T1102J1210)

мкГн (CM3225-100KLB)

Индуктивность 1210 10 мкГн (CM3225-100KLB)

DRQ127-4R7-R (SMD, 4.7UH, 8.25A, 20%)

INDUCTOR, DUAL, SMD, 4.7UH, 8.25A, Inductance Tolerance: ± 20%, DC Current Rating: 8.25A, Core Material: Ferrite, Inductor Case Style: SMD

PE-65495

Аудио трансформатор и трансформатор сигналов XFMR

SR0503 100MLB 10 мкГн 10%

Индуктивность SMD.

SR0503 100MLC 10 мкГн 10%

Индуктивность SMD.